鎧俠研發(fā)團隊憑開創(chuàng)性BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)獲此殊榮
NAND閃存的發(fā)明者鎧俠株式會社榮獲2024年FMS（Future of Memory and Storage，全球閃存峰會）終身成就獎。由Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido、Hiroyasu Tanaka組成的鎧俠工程團隊，將接受這一殊榮，以表彰其在3D閃存技術(shù)研發(fā)與商業(yè)化方面的開創(chuàng)性貢獻。此項突破性技術(shù)已廣泛應(yīng)用于各類計算應(yīng)用中，包括智能手機、個人電腦、固態(tài)硬盤、數(shù)據(jù)中心、星空人工智能及工業(yè)領(lǐng)域。
2007年，鎧俠在VLSI（超大規(guī)模集成電路）研討會上提出了BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)的概念。自推出原型機之后，鎧俠持續(xù)深耕，不斷優(yōu)化該技術(shù)以實現(xiàn)量產(chǎn)目標，并最終于2015年在全球首次成功推出256Gb 48層3D閃存產(chǎn)品。
“鎧俠在3D閃存領(lǐng)域的革新之舉，徹底顛覆了數(shù)據(jù)存儲的傳統(tǒng)格局，將其從現(xiàn)有的技術(shù)進步升華為滿足現(xiàn)代計算需求的突破性解決方案，”FMS主席Chuck Sobey高度評價道，“我們十分高興能夠在會上展示這一重要貢獻，并對它未來的發(fā)展充滿期待。”
憑借獨特的3D堆疊結(jié)構(gòu)，BiCS FLASH技術(shù)不僅提升了存儲容量與性能，更在存儲行業(yè)內(nèi)掀起了變革浪潮。該技術(shù)實現(xiàn)了更高密度的存儲解決方案，同時保持了可靠性和效率，顯著增強了數(shù)據(jù)中心、消費類電子產(chǎn)品和移動設(shè)備的能力，并為閃存技術(shù)樹立了新標準。該技術(shù)在保持高可靠性與效率的同時，實現(xiàn)了更高密度的存儲解決方案，極大增強了數(shù)據(jù)中心、消費電子產(chǎn)品及移動設(shè)備的性能，樹立了閃存技術(shù)的新標桿。通過垂直堆疊技術(shù)，鎧俠的BiCS FLASH技術(shù)成功突破了平面NAND閃存的局限性，為存儲解決方案的未來發(fā)展開辟了廣闊道路，進一步鞏固了鎧俠在業(yè)內(nèi)的領(lǐng)軍地位。
第八代BiCS FLASH™電子顯微鏡掃描圖像 ©IEEE 2023
“鎧俠在3D閃存技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新成果不容小覷，”鎧俠株式會社內(nèi)存部門副總裁兼技術(shù)執(zhí)行官Atsushi Inoue先生表示，“我們的技術(shù)不僅開創(chuàng)了行業(yè)新范式，更實現(xiàn)了閃存單元、芯片及封裝存儲密度的顯著提升。我深感自豪，我們的努力與成就得到了業(yè)界的廣泛認可，并期待在未來繼續(xù)見證這一技術(shù)的深遠影響。”
“我的鎧俠工程師伙伴們，在技術(shù)探索的征途上不僅是靈感的燈塔，更以持續(xù)的創(chuàng)新與對同僚的鼎力支持，踐行著推動行業(yè)前行的承諾，”鎧俠株式會社高級內(nèi)存開發(fā)中心高級研究員Ryota Katsumata感慨道。“我們的努力，不僅結(jié)出了深遠的果實，更在業(yè)界播撒了創(chuàng)新與協(xié)作精神的種子。見證這份領(lǐng)導力和公司遠見得到認可，實為幸事。”
該3D閃存技術(shù)還榮獲了2020年日本“全國發(fā)明表彰計劃”的帝國發(fā)明獎，并相繼摘取2023年日本文部科學省頒發(fā)的“科學技術(shù)表彰”中的科學技術(shù)獎，以及2021年IEEE安迪·S·格魯夫（Andrew S. Grove）獎的桂冠。
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